30V N-Channel MOSFET – AP150N03P
65.00৳ Pcs
AP150N03P তে এডভাঞ্চাড ট্রাঞ্চ টেকনোলজি ব্যাবহার করায় এর Rds খুবি চমৎকার, এর গেট চার্জ এবং গেট ভোল্টেজ 4.5V । এই MOSFET টি ব্যাটারি প্রোটেকশন বা অন্য সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত।
In stock
Package/Size |
TO-220 |
---|---|
Gate-Source Voltage (Vgs) |
±20 V |
Drain Source Voltage (Vdss) |
30v |
Continuous Drain Current (Id) |
150A |
Pulsed Drain Current (Idm) |
225A |
Brand |
A Power microelectronics |
Transistor Type |
N-Channel |
Rectified Current |
150A |
EasyEDA ID |
– |
MFR# |
– |
Mounting |
Thru-Hole |
ইলেক্ট্রিকাল ক্যারেক্টারিস্টিক
Symbol | Parameter | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
---|---|---|---|---|---|---|
BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V , ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS Temperature Coefficient | Reference to 25℃ , ID=1mA | --- | 0.0213 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=30A | --- | --- | 4 | mΩ |
VGS=4.5V , ID=15A | 6 | |||||
VGS(th) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS , ID =250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
△VGS(th) | VGS(th) Temperature Coefficient | --- | -5.73 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | µA |
VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
VSD | Diode Forward Voltage | VGS=0V , IS=1A , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
ডায়াগ্রাম
Only logged in customers who have purchased this product may leave a review.
Reviews
There are no reviews yet.