30V N-Channel MOSFET – AP150N03P
65.00৳ Pcs
AP150N03P তে এডভাঞ্চাড ট্রাঞ্চ টেকনোলজি ব্যাবহার করায় এর Rds খুবি চমৎকার, এর গেট চার্জ এবং গেট ভোল্টেজ 4.5V । এই MOSFET টি ব্যাটারি প্রোটেকশন বা অন্য সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত।
In stock
ইলেক্ট্রিকাল ক্যারেক্টারিস্টিক
Symbol |
Parameter |
Conditions |
Min. |
Typ. |
Max. |
Unit |
---|---|---|---|---|---|---|
BVDSS |
Drain-Source Breakdown Voltage |
VGS=0V , ID=250uA |
30 |
--- |
--- |
V |
△BVDSS/△TJ |
BVDSS Temperature Coefficient |
Reference to 25℃ , ID=1mA |
--- |
0.0213 |
--- |
V/℃ |
RDS(ON) |
Static Drain-Source On-Resistance2 |
VGS=10V , ID=30A |
--- |
--- |
4 |
mΩ |
VGS=4.5V , ID=15A |
6 |
|||||
VGS(th) |
Gate Threshold Voltage |
VGS=VDS , ID =250uA |
1.0 |
--- |
2.5 |
V |
△VGS(th) | VGS(th) Temperature Coefficient |
--- |
-5.73 |
--- |
mV/℃ |
|
IDSS |
Drain-Source Leakage Current |
VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃ |
--- |
--- |
1 |
µA |
VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃ |
--- |
--- |
5 |
|||
IGSS |
Gate-Source Leakage Current |
VGS=±20V , VDS=0V |
--- |
--- |
±100 |
nA |
VSD |
Diode Forward Voltage |
VGS=0V , IS=1A , TJ=25℃ |
--- |
--- |
1 |
V |
ডায়াগ্রাম
Package/Size |
TO-220 |
---|---|
Gate-Source Voltage (Vgs) |
±20 V |
Drain Source Voltage (Vdss) |
30v |
Continuous Drain Current (Id) |
150A |
Pulsed Drain Current (Idm) |
225A |
Brand |
A Power microelectronics |
Transistor Channel |
N-Channel |
Rectified Current |
150A |
EasyEDA ID |
– |
MFR# |
– |
Mounting |
Thru-Hole |
You must be logged in to post a review.
Reviews
There are no reviews yet.