30V N-Channel MOSFET – AP150N03P

65.00৳ Pcs

AP150N03P তে এডভাঞ্চাড ট্রাঞ্চ টেকনোলজি ব্যাবহার করায় এর Rds খুবি  চমৎকার, এর গেট চার্জ এবং গেট ভোল্টেজ 4.5V । এই MOSFET টি ব্যাটারি প্রোটেকশন বা অন্য সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত।

65.00৳ 
1 - 9
64.00৳ 
10 - 19
63.00৳ 
20+

In stock

39 People watching this product now!
SKU: S17143 Categories: ,
Description

ইলেক্ট্রিকাল ক্যারেক্টারিস্টিক

Symbol

Parameter

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage

VGS=0V , ID=250uA

30

---

---

V

△BVDSS/△TJ

BVDSS Temperature Coefficient

Reference to 25℃ , ID=1mA

---

0.0213

---

V/℃

RDS(ON)

Static Drain-Source On-Resistance2

VGS=10V , ID=30A

---

---

4

VGS=4.5V , ID=15A

6

VGS(th)

Gate Threshold Voltage

VGS=VDS , ID =250uA

1.0

---

2.5

V

△VGS(th) VGS(th) Temperature Coefficient

---

-5.73

---

mV/℃

IDSS

Drain-Source Leakage Current

VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃

---

---

1

µA

VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃

---

---

5

IGSS

Gate-Source Leakage Current

VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

VSD

Diode Forward Voltage

VGS=0V , IS=1A , TJ=25℃

---

---

1

V

ডায়াগ্রাম

Additional information
Package/Size

TO-220

Gate-Source Voltage (Vgs)

±20 V

Drain Source Voltage (Vdss)

30v

Continuous Drain Current (Id)

150A

Pulsed Drain Current (Idm)

225A

Brand

A Power microelectronics

Transistor Channel

N-Channel

Rectified Current

150A

EasyEDA ID

MFR#

Mounting

Thru-Hole

Reviews

There are no reviews yet.

Be the first to review “30V N-Channel MOSFET – AP150N03P”