30V N-Channel MOSFET – AP150N03P

Name: 30V N-Channel MOSFET - AP150N03P
Brand: A Power microelectronics
SKU: S17143
Price: 65 BDT
Availability: InStock

65.00৳ Pcs

AP150N03P তে এডভাঞ্চাড ট্রাঞ্চ টেকনোলজি ব্যাবহার করায় এর Rds খুবি চমৎকার, এর গেট চার্জ এবং গেট ভোল্টেজ 4.5V । এই MOSFET টি ব্যাটারি প্রোটেকশন বা অন্য সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত।

65.00৳

1 - 9

64.00৳

10 - 19

63.00৳

20+

In stock

26 People watching this product now!

SKU: S17143 Categories: MOSFETs, Transistor Brand: A Power microelectronics

স্পেসিফিকেশন
বিবরণ

স্পেসিফিকেশন

Package/Size	TO-220
Gate-Source Voltage (Vgs)	±20 V
Drain Source Voltage (Vdss)	30v
Continuous Drain Current (Id)	150A
Pulsed Drain Current (Idm)	225A
Brand	A Power microelectronics
Transistor Type	N-Channel
Rectified Current	150A
EasyEDA ID	–
MFR#	–
Mounting	Thru-Hole

বিবরণ

ইলেক্ট্রিকাল ক্যারেক্টারিস্টিক

Symbol	Parameter	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
BV_DSS	Drain-Source Breakdown Voltage	V_GS=0V , ID=250uA	30	---	---	V
△BV_DSS/△T_J	BVDSS Temperature Coefficient	Reference to 25℃ , ID=1mA	---	0.0213	---	V/℃
R_DS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V , ID=30A	---	---	4	mΩ
R_DS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V , ID=15A	---	---	6	mΩ
V_GS(th)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS , ID =250uA	1.0	---	2.5	V
△V_GS(th)	V_GS(th) Temperature Coefficient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.73	---	mV/℃
I_DSS	Drain-Source Leakage Current	V_DS=24V , V_GS=0V , T_J=25℃	---	---	1	µA
I_DSS	Drain-Source Leakage Current	V_DS=24V , V_GS=0V , T_J=55℃	---	---	5	µA
I_GSS	Gate-Source Leakage Current	V_GS=±20V , V_DS=0V	---	---	±100	nA
V_SD	Diode Forward Voltage	V_GS=0V , I_S=1A , T_J=25℃	---	---	1	V