Arduino
Espressif System (ESP)
Raspberry Pi
LED
TVS
Microphones
HXY9435S MOSFET – High-Efficiency P-Channel Power MOSFET
5.50৳
HXY9435S একটি আধুনিক P-Channel Enhancement Mode MOSFET, যা ট্রেঞ্চ প্রযুক্তি ব্যবহার করে নির্মিত। এই ডিভাইসটি ব্যাটারি সুরক্ষা এবং অন্যান্য সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত। এর RDS(ON) খুবই নিম্ন এবং এটি মাত্র ২.৫ ভোল্ট গেট ভোল্টেজে কার্যকর। -৩০V Drain-Source ভোল্টেজ এবং -৫A পর্যন্ত কারেন্ট পরিচালনার ক্ষমতা থাকার কারণে এটি উচ্চ কার্যক্ষমতা প্রদান করে।
In stock
HXY9435S P-Channel MOSFET
HXY9435S একটি অত্যাধুনিক P-Channel Enhancement Mode MOSFET, যা অত্যাধুনিক ট্রেঞ্চ প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি করা হয়েছে। এই ডিভাইসটি বিশেষভাবে এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যেখানে নিম্ন গেট চার্জ এবং উচ্চ দক্ষতা প্রয়োজন। এর প্রধান বৈশিষ্ট্যগুলোর মধ্যে রয়েছে কম RDS(ON) (মাত্র ৫৫mΩ @ ১০V VGS), যা এটি উচ্চ কার্যক্ষমতায় ব্যবহারযোগ্য করে তোলে।
Simplified Schematic
এই MOSFET-এর অপারেশন গেট ভোল্টেজ মাত্র ২.৫ ভোল্ট পর্যন্ত হতে পারে, যা ব্যাটারি সুরক্ষা, লোড সুইচিং, এবং UPS (Uninterruptible Power Supply) সিস্টেমে ব্যবহারের জন্য উপযোগী করে তোলে। ডিভাইসটি -৩০V পর্যন্ত Drain-Source ভোল্টেজ এবং -৫A পর্যন্ত কারেন্ট পরিচালনা করতে পারে, যা একে উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি আদর্শ সমাধান করে।
HXY9435S-এর তাপীয় কার্যক্ষমতা চমৎকার, এবং এর সুইচিং স্পিড খুবই দ্রুত। এর Turn-On Delay Time মাত্র ৭ ন্যানোসেকেন্ড এবং Turn-Off Delay Time মাত্র ১৪ ন্যানোসেকেন্ড। এটি উচ্চ গতির অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে কার্যকরভাবে ব্যবহৃত হতে পারে।
Absolute Maximum Ratings
|
Parameter |
Symbol |
Rating |
Units |
|---|---|---|---|
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-30 |
V |
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
|
Continuous Drain Current, VGS@ -10V3 |
ID@TA=25℃ |
-5 |
A |
|
PulsedDrain Current1 |
IDM |
-20 |
A |
|
Total Power Dissipation |
PD@TC=25℃ |
2.5 |
A |
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/℃ |
|
|
Storage Temperature Range |
TSTG |
-55 to 175 |
℃ |
|
Operating Junction Temperature Range |
TJ |
-55 to 175 |
℃ |
|
Thermal Resistance Junction-ambient 3(t≦10S) |
RθJA |
40 |
℃/W |
Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
|
Parameter |
Symbol |
Conditions |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Off Characteristics |
||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDss |
VGS=0V , ID=-250μA |
-30 |
-33 |
---- |
V |
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-24V,VGS=0V |
---- |
---- |
-1 |
μA |
|
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
---- |
---- |
±100 |
nA |
|
On Characteristics3 |
||||||
|
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-1 |
-1.6 |
-3 |
V |
|
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-5A |
---- |
43 |
55 |
mΩ |
|
VGS=-4.5V, ID=-4.2A |
---- |
62 |
90 |
|||
|
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-15V,ID=-4.5A |
4 |
7 |
---- |
S |
|
Dynamic Characteristics 4 |
||||||
|
Input Capacitance |
Clss |
VDS=-15V,VGS=0V, |
- |
520 |
---- |
pF |
|
Output Capacitance |
Coss |
---- |
130 |
---- |
||
|
Reverse Transfer Capacitance |
Crss |
---- |
70 |
---- |
||
|
Switching Characteristics4 |
||||||
|
Turn-On Delay Time |
Td(on) |
VDD=-15V, ID=-1A, VGS=- |
---- |
7 |
---- |
nS |
|
Rise Time |
Tr |
---- |
13 |
---- |
||
|
Turn-Off Delay Time |
Td(off) |
---- |
14 |
---- |
||
|
Fall Time |
Tf |
---- |
9 |
---- |
||
|
Total Gate Charge |
Qg |
VDS=-15V,ID=-5.1A,VGS=-10V |
---- |
11 |
---- |
nC |
|
Gate-Source Charge |
Qgs |
---- |
2.2 |
---- |
||
|
Gate-Drain Charge |
Qgd |
---- |
3 |
---- |
||
|
Drain-Source Diode Characteristics |
||||||
|
Diode Forward Voltage3 |
VSD |
VGS=0V,IS=-5.1A |
---- |
---- |
-1.2 |
V |
Note :
- Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
- Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.
- Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.
- Guaranteed by design, not subject to production.
FAQ about NE-555 Ic
The HXY9435S is a P-Channel Enhancement Mode MOSFET designed for efficient power switching applications.
The maximum Drain-Source Voltage (VDS) is -30V.
The HXY9435S can handle up to -5A of Drain Current under standard operating conditions.
It is ideal for battery protection, load switching, power management systems, and UPS (Uninterruptible Power Supply) systems.
Yes, it operates efficiently with a low gate voltage of 2.5V, making it suitable for low-voltage applications.
The maximum Gate-Source Voltage (VGS) is ±20V.
It has a fast switching speed with a Turn-On Delay Time of 7ns and a Turn-Off Delay Time of 14ns.
Yes, due to its low RDS(ON) and high efficiency, it is ideal for battery protection and other battery-powered applications.
The HXY9435S can operate in high-temperature environments, with a maximum junction temperature of 150°C, making it highly reliable.
Reference
Table Of Contents
| Brand |
HXY MOSFET |
|---|---|
| Package/Size |
SOP-8 |
| Transistor Channel |
P-Channel |
| Drain Source Voltage (Vdss) |
-30V |
| Continuous Drain Current (Id) |
-5A |
| Gate Charge (Qg) |
11nC |
| Power Dissipation (Pd) |
2.5W |
| EasyEDA ID |
C3033409 |
| MFR# |
– |
| Mounting |
SMD/SMT |
You must be logged in to post a review.
Related products
Reviews
There are no reviews yet.